TS3DDR4000

アクティブ

3.3V、2:1 (SPDT)、12 チャネル DDR2、DDR3、DDR4 スイッチ

製品詳細

Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (µA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5
Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (µA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5
NFBGA (ZBA) 48 24 mm² 8 x 3
  • 広い VDD 範囲:2.375V~3.6V
  • 広帯域幅:5.6GHz (シングル・エンド、標準値)、6.0GHz (差動、標準値)
  • 低いスイッチ・オン抵抗 (RON):8Ω (標準値)
  • 低いビット間スキュー:3ps (標準値)、全チャネル間の最大値 6ps
  • 低いクロストーク: 1067MHz で -34dB (標準値)
  • 低い動作電流:40µA (標準値)
  • 低消費電力モードでの低い消費電流:2µA (標準値)
  • IOFF 保護により、パワー・ダウン状態 (VDD = 0V) での電流リークを防止
  • POD_12、SSTL_12、SSTL_15、SSTL_18 信号をサポート
  • ESD 性能
    • 3kV 人体モデル (A114B、Class II)
    • 1kV 荷電デバイス・モデル (C101)
  • 8mm×3mm、48 ボール、0.65mm ピッチの ZBA パッケージ
  • 広い VDD 範囲:2.375V~3.6V
  • 広帯域幅:5.6GHz (シングル・エンド、標準値)、6.0GHz (差動、標準値)
  • 低いスイッチ・オン抵抗 (RON):8Ω (標準値)
  • 低いビット間スキュー:3ps (標準値)、全チャネル間の最大値 6ps
  • 低いクロストーク: 1067MHz で -34dB (標準値)
  • 低い動作電流:40µA (標準値)
  • 低消費電力モードでの低い消費電流:2µA (標準値)
  • IOFF 保護により、パワー・ダウン状態 (VDD = 0V) での電流リークを防止
  • POD_12、SSTL_12、SSTL_15、SSTL_18 信号をサポート
  • ESD 性能
    • 3kV 人体モデル (A114B、Class II)
    • 1kV 荷電デバイス・モデル (C101)
  • 8mm×3mm、48 ボール、0.65mm ピッチの ZBA パッケージ

TS3DDR4000 は 12 ビット幅バス・スイッチングが可能な 1:2 または 2:1 の高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチです。A ポートの全ビットを同時に B または C ポートに切り換えることができます。TS3DDR4000 は DDR2、DDR3、DDR4 メモリ・バスのシステムで動作するよう設計されており、独自のアーキテクチャにより広い帯域幅 (シングル・エンド -3dB 帯域幅 5.6GHz)、低周波数での小さな挿入損失、非常に短い伝播遅延を実現しています。TS3DDR4000 は 1.8V ロジック互換で、すべてのスイッチが双方向であるため、設計を柔軟に行えます。また、TS3DDR4000 には低消費電力モードがあり、このモードではすべてのチャネルが高インピーダンスとなってデバイスの消費電力が最小限に抑えられます。

TS3DDR4000 は 12 ビット幅バス・スイッチングが可能な 1:2 または 2:1 の高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチです。A ポートの全ビットを同時に B または C ポートに切り換えることができます。TS3DDR4000 は DDR2、DDR3、DDR4 メモリ・バスのシステムで動作するよう設計されており、独自のアーキテクチャにより広い帯域幅 (シングル・エンド -3dB 帯域幅 5.6GHz)、低周波数での小さな挿入損失、非常に短い伝播遅延を実現しています。TS3DDR4000 は 1.8V ロジック互換で、すべてのスイッチが双方向であるため、設計を柔軟に行えます。また、TS3DDR4000 には低消費電力モードがあり、このモードではすべてのチャネルが高インピーダンスとなってデバイスの消費電力が最小限に抑えられます。

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技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
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6 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TS3DDR4000 12 ビット 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチ/マルチプレクサ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2019年 6月 6日
製品概要 Mipi Switches PDF | HTML 2022年 1月 14日
技術記事 Memory switches bring reliability and speed to clouding computing PDF | HTML 2016年 1月 5日
EVM ユーザー ガイド (英語) TS3DDR4000 EVM User Guide 2015年 2月 20日
アプリケーション・ノート Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 2008年 7月 3日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TS3DDR4000-EVM — TS3DDR4000 評価モジュール

The TS3DDR4000-EVM is an evaluation module for TI’s 12-bit high-speed DDR2, DDR3 and DDR4 switch/multiplexer.  The module lets you easily evaluate functional switching and logic implementation.

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

TS3DDR4000 HSpice Model

SCDM168.ZIP (5037 KB) - HSpice Model
パッケージ ピン数 ダウンロード
NFBGA (ZBA) 48 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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