LMG3100R017

LMG3100 は、ドライバを内蔵した 90V、97A の窒化ガリウム (GaN) デバイスです。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 にはハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているため、追加のレベル シフタを必要とせずに、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。

GaN FET は逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。