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TPS53627

アクティブ

Intel VR13 CPU の VCORE と DDR メモリ向け、2 相、D-CAP+™ 降圧コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 95 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 3.04 Iq (typ) (A) 0.0035 Duty cycle (max) (%) 67
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 95 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 3.04 Iq (typ) (A) 0.0035 Duty cycle (max) (%) 67
VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4
  • Intel®VR13シリアルVID (SVID)準拠
  • 1または2フェーズの動作
  • ドループと非ドループの両方のアプリケーションをサポート
  • 10mVステップの8ビットDAC
  • 4.5V~28Vの変換電圧範囲
  • 出力範囲: 0.5V~2.3V
  • 軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
  • 8つの独立したレベルのオーバーシュート低減(OSR)およびアンダーシュート低減(USR)
  • ドライバ不要の構成により効率的な高周波数のスイッチング
  • ディスクリート、パワー・ブロック、 Power Stage™、DrMOS MOSFETの各実装をサポート
  • 正確で変更可能な電圧ポジショニング
  • 300kHz~1MHzの周波数選択
  • 特許取得の AutoBalance™フェーズ・バランシング
  • 負荷過渡昇圧のためONパルス延長をプログラム可能
  • 自動DCMおよびCCM動作をプログラム可能
  • 8レベルの電流制限を選択可能
  • 小型の4mm×4mm、32ピンVQFN PowerPad™パッケージ
  • Intel®VR13シリアルVID (SVID)準拠
  • 1または2フェーズの動作
  • ドループと非ドループの両方のアプリケーションをサポート
  • 10mVステップの8ビットDAC
  • 4.5V~28Vの変換電圧範囲
  • 出力範囲: 0.5V~2.3V
  • 軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
  • 8つの独立したレベルのオーバーシュート低減(OSR)およびアンダーシュート低減(USR)
  • ドライバ不要の構成により効率的な高周波数のスイッチング
  • ディスクリート、パワー・ブロック、 Power Stage™、DrMOS MOSFETの各実装をサポート
  • 正確で変更可能な電圧ポジショニング
  • 300kHz~1MHzの周波数選択
  • 特許取得の AutoBalance™フェーズ・バランシング
  • 負荷過渡昇圧のためONパルス延長をプログラム可能
  • 自動DCMおよびCCM動作をプログラム可能
  • 8レベルの電流制限を選択可能
  • 小型の4mm×4mm、32ピンVQFN PowerPad™パッケージ

TPS53627デバイスはドライバ不要、VR13 SVID準拠の同期整流降圧コントローラです。 D-CAP+ ™アーキテクチャなどの高度な制御機能と、パルス・オーバーラップでのアンダーシュート削減(USR)およびオーバーシュート削減(OSR)により、高速な過渡応答、最小の出力容量、高効率を実現します。また、このデバイスはCCMおよびDCM動作時に単一フェーズで動作し、軽負荷時の効率を上げることもできます。このデバイスには、VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOTなど、VR13 I/O機能の完全なセットが搭載されています。SVIDインターフェイスのアドレスは、00hから07hまでのプログラミングが可能です。VOUTのスルー・レートの可変制御は、最大で20mV/usまでプログラムできます。

TI NexFET™パワー・ステージと組み合わせることで、この総合的なソリューションは非常に高速で、スイッチング損失が低くなります。

TPS53627デバイスは、省スペースで熱的に強化された32ピンのVQFNパッケージに格納されており、-40℃から+105℃で動作します。

TPS53627デバイスはドライバ不要、VR13 SVID準拠の同期整流降圧コントローラです。 D-CAP+ ™アーキテクチャなどの高度な制御機能と、パルス・オーバーラップでのアンダーシュート削減(USR)およびオーバーシュート削減(OSR)により、高速な過渡応答、最小の出力容量、高効率を実現します。また、このデバイスはCCMおよびDCM動作時に単一フェーズで動作し、軽負荷時の効率を上げることもできます。このデバイスには、VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOTなど、VR13 I/O機能の完全なセットが搭載されています。SVIDインターフェイスのアドレスは、00hから07hまでのプログラミングが可能です。VOUTのスルー・レートの可変制御は、最大で20mV/usまでプログラムできます。

TI NexFET™パワー・ステージと組み合わせることで、この総合的なソリューションは非常に高速で、スイッチング損失が低くなります。

TPS53627デバイスは、省スペースで熱的に強化された32ピンのVQFNパッケージに格納されており、-40℃から+105℃で動作します。

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技術資料

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* データシート TPS53627 VR13 CPU VCOREおよびDDRメモリ用2フェーズ、D-CAP+™降圧型コントローラ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2017年 11月 2日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RSM) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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