DRV8770

DRV8770 デバイスは 2 個のハーフブリッジ・ゲート・ドライバを搭載しており、それぞれがハイサイドとローサイドの各 N チャネル・パワー MOSFET を駆動する能力があります。GVDD がローサイド MOSFET のゲートを駆動する一方、内蔵ブートストラップ・ダイオードと外付けコンデンサはハイサイド MOSFET のための適切なゲート駆動電圧を生成します。このゲート駆動アーキテクチャは最大でソース 750mA、シンク 1.5A のゲート駆動電流をサポートしています。

ゲート駆動ピンの高い許容電圧はシステムの堅牢性を高めます。SHx 位相ピンは大きな負電圧過渡に耐えます。一方、ハイサイド・ゲート・ドライバ電源は BSTx および GHx ピンのさらに大きな正電圧過渡 (絶対最大定格電圧 115V) に対応できます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。GVDD と BST の低電圧誤動作防止による低電圧保護機能がローサイドとハイサイドの両方に備わっています。