LMH9235

アクティブ

バラン内蔵、3.3GHz、シングルエンドから差動への変換アンプ

製品詳細

Current consumption (mA) 80 Frequency (min) (MHz) 3300 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 17.5 Noise figure (typ) (dB) 3 OIP3 (typ) (dBm) 34.7 P1dB (typ) (dBm) 18 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Type Active Balun Rating Catalog
Current consumption (mA) 80 Frequency (min) (MHz) 3300 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 17.5 Noise figure (typ) (dB) 3 OIP3 (typ) (dBm) 34.7 P1dB (typ) (dBm) 18 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Type Active Balun Rating Catalog
WQFN (RRL) 12 4 mm² 2 x 2
  • シングル・チャネル、シングルエンド入力から差動出力への RF ゲイン・ブロック・アンプ
  • 3.3GHz~3.8GHz 帯を直接、または 3.7GHz~4.2GHz 帯を外付け整合部品を使ってサポート
  • 17.5dB (標準値) のゲイン (帯域内)
  • 3dB 未満のノイズ指数
  • 34.5dBm の OIP3
  • 18dBm の出力 P1dB
  • 270mW の消費電力 (+3.3V 単電源)
  • 最高 TA = 105℃の動作温度
  • シングル・チャネル、シングルエンド入力から差動出力への RF ゲイン・ブロック・アンプ
  • 3.3GHz~3.8GHz 帯を直接、または 3.7GHz~4.2GHz 帯を外付け整合部品を使ってサポート
  • 17.5dB (標準値) のゲイン (帯域内)
  • 3dB 未満のノイズ指数
  • 34.5dBm の OIP3
  • 18dBm の出力 P1dB
  • 270mW の消費電力 (+3.3V 単電源)
  • 最高 TA = 105℃の動作温度

LMH9235 デバイスは、3.6GHz の中心周波数帯域をサポートするシングルエンド入力 / 差動出力の高性能シングル・チャネル受信 RF ゲイン・ブロック・アンプです。本デバイスは、LNA ゲインが不足してアナログ・フロント・エンド (AFE) のフルスケールを駆動できない場合に次世代 5G AAS またはスモール・セル・アプリケーションの要件をサポートするのに適しています。この RF アンプは、17dB (標準値) のゲインと 34dBm の出力 IP3 という優れた直線性を備えている一方、1dB 帯域幅全体にわたって約 3dB のノイズ指数を維持します。本デバイスは、シングルエンド入力と差動出力の両方で 50Ω のインピーダンスに内部的に整合しているため、RF サンプリングまたはゼロ IF アナログ・フロントエンド (AFE) と容易に接続できます。

3.3V の単電源で動作するこのデバイスは、アクティブ消費電力が約 270mW であるため、高密度 5G Massive MIMO アプリケーションに適しています。また、このデバイスは省スペースの 2mm × 2mm、12 ピン QFN パッケージで供給されます。このデバイスは最高 105℃の動作温度で定格が規定されているため、堅牢なシステム設計が可能です。時分割複信 (TDD) システムに適した、デバイスの高速な電源オン / オフに利用できる 1.8V JEDEC 準拠のパワー・ダウン・ピンを備えています。

LMH9235 デバイスは、3.6GHz の中心周波数帯域をサポートするシングルエンド入力 / 差動出力の高性能シングル・チャネル受信 RF ゲイン・ブロック・アンプです。本デバイスは、LNA ゲインが不足してアナログ・フロント・エンド (AFE) のフルスケールを駆動できない場合に次世代 5G AAS またはスモール・セル・アプリケーションの要件をサポートするのに適しています。この RF アンプは、17dB (標準値) のゲインと 34dBm の出力 IP3 という優れた直線性を備えている一方、1dB 帯域幅全体にわたって約 3dB のノイズ指数を維持します。本デバイスは、シングルエンド入力と差動出力の両方で 50Ω のインピーダンスに内部的に整合しているため、RF サンプリングまたはゼロ IF アナログ・フロントエンド (AFE) と容易に接続できます。

3.3V の単電源で動作するこのデバイスは、アクティブ消費電力が約 270mW であるため、高密度 5G Massive MIMO アプリケーションに適しています。また、このデバイスは省スペースの 2mm × 2mm、12 ピン QFN パッケージで供給されます。このデバイスは最高 105℃の動作温度で定格が規定されているため、堅牢なシステム設計が可能です。時分割複信 (TDD) システムに適した、デバイスの高速な電源オン / オフに利用できる 1.8V JEDEC 準拠のパワー・ダウン・ピンを備えています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMH9235 バラン内蔵、3.3GHz~4.2GHz、シングルエンド入力 / 差動出力アンプ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2021年 8月 9日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMH9235 Evaluation Module User's Guide 2020年 5月 5日
証明書 LMH9235RRLEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 4月 14日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF
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ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

LMH9235 S-Parameter Models

SBOMB72.ZIP (5 KB) - S-Parameter Model
パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN (RRL) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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