データシート
TPS51216-EP
- 同期整流降圧コントローラ (VDDQ)
- 変換電圧範囲：3～28V
- 出力電圧範囲：0.7～1.8V
- 0.8% の VREF 精度
- 高速過渡応答の D-CAP™ モード
- 300kHz/400kHz のスイッチング周波数を選択可能
- 自動スキップ機能により軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
- S4/S5 状態でソフトオフに対応
- OCL、OVP、UVP、UVLO 保護機能
- パワー・グッド出力
- 2A LDO (VTT)、バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
- 2A ピークのシンクおよびソース電流
- セラミック出力コンデンサ 最小容量 10µF
- 低ノイズ、バッファ付きの 10mA VTTREF 出力
- 0.8% VTTREF、20mV VTT 精度
- ハイ・インピーダンス (S3) およびソフトオフ (S4/S5) に対応
- サーマル・シャットダウン
- 20 ピン、3mm × 3mm、WQFN パッケージ
- 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
- 管理されたベースライン
- 単一のアセンブリ/テスト施設
- 単一の製造施設
- 軍用 (-55°C～125°C) 温度範囲で利用可能。(1)
- 長い製品ライフ・サイクル
- 製品変更通知期間の延長
- 製品のトレーサビリティ
(1)その他の温度範囲も利用可能 - 工場にお問い合わせください
TPS51216-EP デバイスは、DDR2、DDR3、DDR3L メモリ・システム用の電源一式を、最低限の総コストと最小限の容積で実現します。同期整流降圧レギュレータ・コントローラ (VDDQ) と、2A シンク / ソースのトラッキング LDO (VTT) およびバッファ付きの低ノイズ基準電圧 (VTTREF) が内蔵されています。TPS51216-EP は、D-CAP™ モードと 300kHz/400kHz の周波数を組み合わせて使用し、使いやすさと高速な過渡応答を実現しています。VTTREF は、0.8% という非常に優れた精度で VDDQ/2 に追従します。VTT は 2A シンク / ソースのピーク電流能力を備え、10µF のセラミック・コンデンサのみで動作します。さらに、専用の LDO 電源入力が利用可能です。
TPS51216-EP は非常に優れた電源性能だけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御に対応しており、S3 では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します (ソフト・オフ)。
技術資料
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3 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS51216-EP DDR2、DDR3 および DDR3L メモリ電源ソリューション一式、同期整流降圧コントローラ、2A LDO、バッファ付きリファレンス電圧 データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 9月 2日 |
| * | VID | TPS51216-EP VID V6216601 | 2018年 3月 27日 | |||
| * | 放射線と信頼性レポート | TPS51216MRUKREP Reliability Report | 2016年 4月 11日 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
シミュレーション・モデル
TPS51216 TINA-TI Transient Reference Design
SLUM459.TSC (648 KB) - TINA-TI Reference Design
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| WQFN (RUK) | 20 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。