ホーム パワー・マネージメント ゲート・ドライバ ハーフ・ブリッジ・ドライバ
NEW

TPS7H6003-SP

アクティブ

耐放射線特性、QMLV、200V、ハーフブリッジ GaN ゲート ドライバ

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 141.9552 mm² 16.74 x 8.48
  • 耐放射線特性:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード:
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング:5.5ns (標準値)
  • 耐放射線特性:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード:
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング:5.5ns (標準値)

TPS7H60x3-SP シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率のアプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6003-SP (200V 定格)、TPS7H6013-SP (60V 定格)、TPS7H6023-SP (22V 定格) で構成されています。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x3-SP ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x3-SP ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。

TPS7H60x3-SP シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率のアプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6003-SP (200V 定格)、TPS7H6013-SP (60V 定格)、TPS7H6023-SP (22V 定格) で構成されています。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x3-SP ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x3-SP ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
16 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H60x3-SP 放射線耐性保証、1.3A、2.5A、 ハーフ ブリッジ GaN FET ゲート ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 3月 27日
* SMD TPS7H6003-SP SMD 5962-22201 2023年 12月 21日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6003-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report PDF | HTML 2023年 11月 30日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6003-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 2023年 11月 30日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6003-SP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2023年 11月 10日
EVM ユーザー ガイド (英語) TPS7H6003EVM-CVAL Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 How can you optimize SWaP for next-generation satellites with electronic power systems? PDF | HTML 2024年 1月 2日
その他の技術資料 TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. A) 2023年 8月 31日
アプリケーション・ノート QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023年 8月 30日
証明書 TPS7H6003EVM-CVAL EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 29日
アプリケーション・ノート Heavy Ion Orbital Environment Single-Event Effects Estimations (Rev. A) PDF | HTML 2022年 11月 17日
アプリケーション・ノート Single-Event Effects Confidence Interval Calculations (Rev. A) PDF | HTML 2022年 10月 19日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. I) 2022年 3月 3日
アプリケーション・ノート DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020年 8月 21日
アプリケーション・ノート Hermetic Package Reflow Profiles, Termination Finishes, and Lead Trim and Form PDF | HTML 2020年 5月 18日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H6003EVM-CVAL — TPS7H6003 200V、1.5A と 3A、GaN FET ハーフ ブリッジ ドライバの評価基板

TPS7H6003 評価基板は最大 150V の入力で動作し、EPC2307 パーツを駆動して TPS7H6003-SP の信頼性をテストすることができます。デフォルトでは、この評価基板は TPS7H6003-SP デバイスと組み合わせ、PWM モードで動作するように設定済みです。このモードでは、1 つのスイッチング信号の入力を受け入れ、補完信号を内部生成します。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3-SP SIMPLIS Model

SNOM781.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

PMP23200 — 100kRad アプリケーション向け、100W、5V 出力、ハード スイッチング、フル ブリッジ コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、TPS7H5001-SP PWM (パルス幅変調) コントローラと 3 個の TPS7H6003-SP ハーフブリッジ ドライバを使用して、22V ~ 36V の範囲の入力で動作し、100W の負荷に対応できる絶縁型 5V 出力を生成する、ハード スイッチングのフル ブリッジ コンバータを接続します。静止軌道 (GEO) クラスの放射線性能に適合できるように、コントローラ、ドライバ、パワー FET を選定しました。2 次側の同期整流器を採用した結果、従来のダイオード整流器に比べて、効率と放熱性能が向上しています。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
CFP (HBX) 48 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ