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製品の詳細

パラメータ

Product type CDR and transceiver Data rate (Max) (Gbps) 10 Features 2-wire digital interface control, APC loop, CDR bypass modes, Optical and electrcial loopback modes, Pin compatible to the ONET1130EP, TX input equalizer ICC (Typ) (mA) 200 Imod (mA) 150 ICC (Max) (mA) 200 DJ (Typ) (ps) 4 Tf-out (Typ) (ps) 30 Tr-out (Typ) (ps) 30 Operating temperature range (C) -40 to 100 open-in-new その他の 光学ネットワーク IC

パッケージ|ピン|サイズ

VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4 open-in-new その他の 光学ネットワーク IC

特長

  • 最小出力振幅が最大2Vpp(シングルエンド)の変調器ドライバ、最高150mAソースまでのバイアス電流
  • EML (Electro-Absorption Modulator Laser)やMZM (Mach-Zahnder Modulator)ベースのレーザを含む、外部変調レーザをサポート
  • 統合CDRにより9.80~11.7Gbpsまで基準クロック不要で動作
  • 2線式デジタル・インターフェイス、制御および診断管理用のDACとADCを内蔵
  • 出力極性の選択機能
  • ジッタ転送帯域幅をプログラムしてCDR帯域幅を調整可能
  • 低データ転送速度動作用のCDRバイパス・モード
  • 自動電力制御(APC)ループ、モニタPD範囲を選択可能
  • 送信入力イコライザをプログラム可能
  • トランスミッタのクロスポイント調整とディエンファシス
  • レーザ安全性機能を搭載
  • 電源モニタおよび温度センサ
  • 2.5V単一電源
  • -40℃~100℃で動作
  • 表面実装の4mm×4mm 32ピンQFNパッケージ、0.4mmピッチ

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概要

ONET1131ECは、2.5V EMLモジュレータ・ドライバで、送信クロック/データ・リカバリ(CDR)機能が搭載され、基準クロックなしで9.8Gbps~11.7Gbpsで動作するよう設計されています。CDRバイパス・ノードを使用して、低いデータ速度での動作が可能です。また、2線式シリアル・インターフェイスにより、出力極性の選択や入力の平滑化などの機能をデジタル制御できます。

送信パスは、可変入力イコライザと、マルチレートCDR、および出力変調器ドライバで構成されます。可変入力イコライザは、300mm (12インチ)までのマイクロストリップまたはFR4プリント基板のストリップライン送信ラインの平滑化を行います。
出力波形制御は、クロスポイント調整およびディエンファシスの形で利用でき、光学的なアイマスク・マージンを改善できます。このデバイスは、レーザ用のバイアス電流を供給するほか、内蔵の自動電力制御(APC)ループによって、電圧または温度の変化や時間の経過による平均光出力の変異を補正します。

ONET1131ECには、内部的なA/DおよびD/Aコンバータが搭載されており、トランシーバ管理をサポートするため、特定用途用マイクロコントローラは必要ありません。

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート ONET1131EC 外部変調レーザ・ドライバ、クロック/データ・リカバリ(CDR)回路搭載 データシート (Rev. A 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.A) 2017年 2月 27日
ユーザー・ガイド ONET1131EC-EVM Users Guide 2016年 10月 10日

設計と開発

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設計ツールとシミュレーション

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購入と品質

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