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TMCS1133

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80ARMS 1MHz Hall-effect current sensor with AFR and ALERT

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TMCS1133

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製品詳細

Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 高い連続電流能力：75A RMS
  • 堅牢な強化絶縁
    • 絶縁耐電圧：5000V RMS
    • 強化動作電圧：1100V DC
  • 高精度
    • 感度誤差： ± 0.3%
    • 感度ドリフト： ± 20ppm/℃
    • オフセット誤差： ± 1mV
    • オフセットのドリフト： ± 20µV/℃
    • 非線形性： ± 0.1%
  • 低寿命ドリフト：±0.5% (最大値)
  • 外部の磁界に対する高い耐性
  • 小さい電源除去比：60dB
  • 信号帯域幅： 1MHz
  • 小さい伝搬遅延： 80ns
  • 高速過電流検出応答：500ns
  • 動作電源電圧範囲：3V～5.5V
  • 双方向および単方向の電流センシング
  • 複数の感度オプション：
    • TMCS1133x1A：25mV/A
    • TMCS1133B8A：33mV/A
    • TMCS1133x2A：50mV/A
    • TMCS1133x3A：75mV/A
    • TMCS1133x4A：100mV/A
    • TMCS1133x5A：150mV/A
  • 安全関連認証 (予定)
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC/CB 62368-1
  • 高い連続電流能力：75A RMS
  • 堅牢な強化絶縁
    • 絶縁耐電圧：5000V RMS
    • 強化動作電圧：1100V DC
  • 高精度
    • 感度誤差： ± 0.3%
    • 感度ドリフト： ± 20ppm/℃
    • オフセット誤差： ± 1mV
    • オフセットのドリフト： ± 20µV/℃
    • 非線形性： ± 0.1%
  • 低寿命ドリフト：±0.5% (最大値)
  • 外部の磁界に対する高い耐性
  • 小さい電源除去比：60dB
  • 信号帯域幅： 1MHz
  • 小さい伝搬遅延： 80ns
  • 高速過電流検出応答：500ns
  • 動作電源電圧範囲：3V～5.5V
  • 双方向および単方向の電流センシング
  • 複数の感度オプション：
    • TMCS1133x1A：25mV/A
    • TMCS1133B8A：33mV/A
    • TMCS1133x2A：50mV/A
    • TMCS1133x3A：75mV/A
    • TMCS1133x4A：100mV/A
    • TMCS1133x5A：150mV/A
  • 安全関連認証 (予定)
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1133 は、業界をリードする絶縁性と精度を備えたガルバニック絶縁ホール効果電流センサです。入力電流に比例する出力電圧により、優れた直線性と、あらゆる感度オプションで低ドリフトを実現しています。ドリフト補償を内蔵した高精度のシグナル・コンディショニング回路は、温度範囲と寿命全体にわたって、システム・レベルのキャリブレーションを必要としない 2.5% 未満の最大合計誤差を達成しており、1 回限りの室温キャリブレーション (寿命と温度ドリフトの両方を含む) で、 1.5% 未満の最大合計誤差を達成しています。

AC または DC 入力電流は内部導体を流れて磁界を生成し、内蔵のオンチップ・ホール効果センサにより測定します。コアレス構造のため、磁気コンセントレータは不要です。差動ホール・センサは、外部の浮遊磁界による干渉を排除します。導体抵抗が小さいと、測定可能な電流範囲が最大 ± 96A まで拡大すると同時に、電力損失を最小化し、放熱要件を緩和できます。5000V RMS に耐える絶縁と、最小 8.1mm の沿面距離および空間距離により、最大 1100V DC の信頼性の高い寿命の強化動作電圧を実現します。内蔵シールドにより、優れた同相除去と過渡耐性を実現しています。

固定感度とすることで、 TMCS1133 は 3V～5.5V の単一電源で動作でき、レシオメトリック誤差をなくし、電源ノイズ除去を向上させています。

TMCS1133 は、業界をリードする絶縁性と精度を備えたガルバニック絶縁ホール効果電流センサです。入力電流に比例する出力電圧により、優れた直線性と、あらゆる感度オプションで低ドリフトを実現しています。ドリフト補償を内蔵した高精度のシグナル・コンディショニング回路は、温度範囲と寿命全体にわたって、システム・レベルのキャリブレーションを必要としない 2.5% 未満の最大合計誤差を達成しており、1 回限りの室温キャリブレーション (寿命と温度ドリフトの両方を含む) で、 1.5% 未満の最大合計誤差を達成しています。

AC または DC 入力電流は内部導体を流れて磁界を生成し、内蔵のオンチップ・ホール効果センサにより測定します。コアレス構造のため、磁気コンセントレータは不要です。差動ホール・センサは、外部の浮遊磁界による干渉を排除します。導体抵抗が小さいと、測定可能な電流範囲が最大 ± 96A まで拡大すると同時に、電力損失を最小化し、放熱要件を緩和できます。5000V RMS に耐える絶縁と、最小 8.1mm の沿面距離および空間距離により、最大 1100V DC の信頼性の高い寿命の強化動作電圧を実現します。内蔵シールドにより、優れた同相除去と過渡耐性を実現しています。

固定感度とすることで、 TMCS1133 は 3V～5.5V の単一電源で動作でき、レシオメトリック誤差をなくし、電源ノイズ除去を向上させています。
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技術資料

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* データシート TMCS1133 高精度1MHzホール効果電流センサ、±1100V 強化絶縁動作電圧、過電流検出、周囲磁界除去機能搭載 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 10月 30日
証明書 TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
証明書 TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
証明書 TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
アプリケーション概要 低ドリフト、高精度のインライン絶縁型磁気式モーター電流測定 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) 2023年 8月 9日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TMCS-A-ADAPTER-EVM — DVG、DVF、DZP の各パッケージ向け、TMCS 絶縁型ホール効果電流センサのアダプタ カード (ホール効果電流センサは付属していません)

TMCS-A-ADAPTER-EVM は、DVG、DVF、DZP の各パッケージを使用する TMCS 絶縁型ホール効果高精度電流センス モニタを、迅速かつ利便性の高い方法で使用できるようにすることを意図した評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) を使用すると、ホール入力側に最大 90A の電流を流すと同時に、強化型絶縁バリアを通過する絶縁型出力を測定することができます。TMCS-A-ADAPTER-EVM は、1 枚の PCB で構成されています。この PCB には、テスト ポイントとブレークアウト ヘッダ ピンを実装するための場所がありますが、部品は未実装です。PCB (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

TMCS1133EVM — TMCS1133 絶縁型ホール効果電流センシングの評価基板

TMCS1133EVM 評価基板 (EVM) は、内部レシオメトリック・リファレンスを活用する絶縁型ホール効果高精度電流センス・モニタである TMCS1133 を、迅速で利便性の高い方法で使用できるようにすることを意図したツールです。この評価基板 (EVM) を使用すると、ホール入力側に最大動作電流を流すと同時に、強化型絶縁バリアを通過する絶縁型出力を測定することができます。治具のレイアウトは、ターゲット回路のモデルとして使用することや電磁干渉 (EMI) テストに使用することを意図していません。EVM は 1 枚のプリント基板 (PCB) で構成されており、5 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
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リファレンス・デザイン

PMP23338 — e メーター機能搭載、3.6kW、単相トーテム ポール ブリッジレス PFC (力率補正) のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、GaN (窒化ガリウム) ベースの 3.6kW 単相連続導通モード (CCM) トーテム ポール力率補正 (PFC) コンバータであり、M-CRPS (モジュール型ハードウェア システム向け共通冗長電源) を想定しています。このデザインは、0.5% 精度の e メーター機能を搭載しており、外部の電力測定 IC が不要です。この電源は、16A RMS の最大入力電流と 3.6kW のピーク電力をサポートできる設計を採用しています。電力段の後段に小型の昇圧コンバータを配置しており、バルク (...)
試験報告書: PDF
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SOIC (DVG) 10 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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