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製品の詳細

パラメータ

DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (Max) (A) 8 Iout VTT (Max) (A) 1 Iq (Typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 4.5 Vin (Max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

パッケージ|ピン|サイズ

VQFN-HR (RJE) 18 9 mm² 3 x 3 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

特長

  • 同期整流降圧コンバータ (VDDQ)
    • 入力電圧範囲: 4.5V~18V
    • 出力電圧は 1.2V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流:8A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 22mΩ および 8.6mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート:1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 同期整流降圧コンバータ (VPP)
    • 入力電圧範囲: 3V~5.5V
    • 出力電圧は 2.5V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流:1A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 150mΩ および 120mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート:1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A の連続シンクおよびソース電流
    • 10µF のセラミック出力コンデンサのみで動作
    • S3 での高インピーダンスをサポート
    • ±30mV の VTT 出力精度 (DC+AC)
  • バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
    • バッファ付きで低ノイズの ±10mA 能力
    • 0.8% の出力精度
  • 低い静止電流:150µA
  • パワー・グッド・インジケータ
  • 出力放電機能
  • 電源オンおよび電源オフのシーケンシング制御
  • ラッチなしの OT および UVLO 保護
  • 18 ピン、3.0mm × 3.0mm の HotRod™ VQFN パッケージ

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open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

概要

TPS65295 デバイスは、DDR4 メモリ・システム用の包括的な電源ソリューションを最小の総コストとスペースで実現します。DDR4 の電源オンおよび電源オフ・シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS65295 は、2 つの同期整流降圧コンバータ (VPP および VDDQ)、1A シンクおよびソース・トラッキング LDO (VTT)、バッファ付き低ノイズ基準電圧 (VTTREF) を内蔵しています。TPS65295 は D-CAP3™モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、使いやすさ、高速過渡応答、セラミック出力コンデンサのサポート (外部補償回路不要) を実現しています。

VTTREF は、½ VDDQ を 0.8% という非常に優れた精度でトラッキングします。VTT は、1A のシンクおよびソース電流を連続的に供給でき、わずか 10µF のセラミック出力コンデンサだけで動作します。

TPS65295 は非常に優れた電源性能だけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御をサポートしており、S3 状態では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル・シャットダウン保護機能も使用できます。この製品は、放熱特性の優れた 18 ピンの HotRod™ VQFN パッケージで供給され、-40°C ~125°C の接合部温度範囲で動作するよう設計されています。

open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC
ダウンロード

技術資料

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すべて表示 3
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TPS65295 包括的な DDR4 メモリ向け電源ソリューション データシート 英語版をダウンロード 2019年 2月 26日
アプリケーション・ノート Non-Isolated Point-of-Load Solutions for Tiger Lake in PC Applications (Rev. B) 2021年 4月 29日
ユーザー・ガイド TPS65295EVM-079 User's Guide 2018年 12月 4日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価ボード ダウンロード
TPS65295EVM-079
TPS65295EVM-079
document-generic ユーザー・ガイド
49
概要
The TPS65295 evaluation module (EMV) is used to evaluate the TPS65295 device. The TPS65295 device provides a complete power solution for DDR4 memory system with the lowest total cost and minimum space. It meets the JEDEC standard for DDR4 power-up and power-down sequence requirement. The (...)
特長
  • Input voltage range: 4.5 V to 18 V
  • Output voltage: 1.2 V VDDQ, 2.5 V VPP, 0.6 V VTT
  • 12-A Integrated 17 mΩ/6 mΩ Rdson FET Converter
  • D-CAP3TM architecture to enable POSCAP and MLCC output capacitor usage
  • Complete DDR4 power solution
  • 3 mm x 3 mm HotRod™ QFN package

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM678.ZIP (114 KB) - PSpice Model

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN-HR (RJE) 18 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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