CSD17308Q3

アクティブ

3mm x 3mm のシングル SON 封止、11.8mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品の詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 11.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 78 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 11.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 78 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.8 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
  • 5V ゲートの駆動に最適化
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • VSON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ
  • 5V ゲートの駆動に最適化
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • VSON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ

この 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。

この 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。

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技術資料

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設計と開発

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サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD17308Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM126B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

CSD17308Q3 TINA-TI Spice Model

SLPM064.TSM (8 KB) - TINA-TI Spice Model
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(DQG) 8 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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