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製品の詳細

パラメータ

VGS (V) 20 VDS (V) 40 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 ID, continuous drain current at Ta=25degC (A) 50 Operating temperature range (C) -55 to 150 Features Motor control Duty cycle (Typ) (%) 40 open-in-new その他の パワー・ブロック

特長

  • ハーフ・ブリッジ・パワー・ブロック
  • 高密度SON、占有面積5mm×6mm
  • 低いRDS(ON)により伝導損失を最小化
    • 35AにおいてPLoss 2.4W
  • DualCool™熱特性強化型パッケージ
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • 鉛フリーの端子メッキ処理

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open-in-new その他の パワー・ブロック

概要

CSD88584Q5DC 40Vパワー・ブロックは、手持ち式工具、コードレス・ガーデン・ツール、電動工具など大電流のモータ制御アプリケーションに最適化された設計です。このデバイスは、TIの特許取得済みの積層ダイ・テクノロジを活用し、寄生インダクタンスを最小化するとともに、省スペースで放熱特性の優れた DualCool™5mm×6mmパッケージ内で完全なハーフ・ブリッジを構成しています。このパワー・ブロック・デバイスは金属の上面が露出しており、パッケージの上面から熱を引き出し、基板から逃がすための簡単なヒート・シンクとして機能するため、多くのモータ制御用途で要求される大電流において優れた放熱性能を発揮します。


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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD88584Q5DC 40Vハーフ・ブリッジ NexFETパワー・ブロック データシート (Rev. C 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.C) 2018年 2月 1日
技術記事 How to choose the right power MOSFET or power block package for your application 2019年 10月 29日
技術記事 Discrete FETs vs. power blocks - how to choose the right SOA for your design 2019年 6月 6日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技術記事 How to Select a MOSFET – Motor Control 2018年 1月 24日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

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ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$79.00
概要
The BOOSTXL-DRV8304HEVM evaluation module  (EVM) is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8304H gate driver and A2 dual-package MOSFETs.  The EVM has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making (...)
特長
  • 6 V to 38 V Operating Voltage Range
  • 15 A continuous / 20 A peak H-bridge output current
  • Three Integrated Current Shunt Amplifiers
  • Sensored or Sensorless BLDC Firmware Available
評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$75.00
概要
The DRV8306 evaluation module (EVM) is an application board designed to allow easy evaluation of the DRV8306 device. The DRV8306 device is a gate driver IC for three-phase motor drive applications. The DRV8306 device provides three high-accuracy trimmed and temperature-compensated half bridge (...)
特長
  • 6 to 38 V operating voltage range
  • Integrated 120° commutation
  • Three integrated current shunt amplifiers
  • Cycle by cycle current limit
評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$149.00
概要
The DRV8343H-Q1EVM evaluation module is a 6V to 60V, 20A, a highly configurable 3-phase brushless DC (BLDC) motor drive and control evaluation platform designed for 12-V to 24-V automotive systems based on the DRV8343H-Q1 automotive smart gate driver.  The EVM has onboard reverse battery (...)
特長
  • 6 to 60V operating voltage range
  • Supports up to 20A continuous / 25A peak H-bridge output current
  • Three integrated current shunt amplifiers
  • Sensored or sensorless BLDC firmware available
  • Independent mode firmware available
評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$149.00
概要
The DRV8343S-Q1EVM evaluation module is a 6V to 60V, 20A, a highly configurable 3-phase brushless DC (BLDC) motor drive and control evaluation platform designed for 12-V to 24-V automotive systems based on the DRV8343S-Q1 automotive smart gate driver.  The EVM has onboard reverse battery (...)
特長
  • 6 to 60V operating voltage range
  • Supports up to 20A continuous / 25A peak H-bridge output current
  • Three integrated current shunt amplifiers
  • Sensored or sensorless BLDC firmware available
  • Independent mode firmware available

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM326A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール ダウンロード
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
  • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
  • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
  • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
  • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
  • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
  • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
Bluetooth® Low Energy 5.0 搭載シングル・マイコン 18V / 600W BLDC モーター制御のリファレンス・デザイン
TIDA-01516 — This reference design offers a Bluetooth® 5.0 SimpleLink™ option with better industrial noise immunity, more range, and less power for industrial applications such as power tools that operate from a 5- cell Li-ion battery. This power stage reference design uses a single Bluetooth low (...)
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード
リファレンス・デザイン ダウンロード
18V / 1kW、160A ピーク、効率 98% 超、高電力密度ブラシレス・モーター・ドライブのリファレンス・デザイン
TIDA-00774 — TIDA-00774 は、5 セルのリチウムイオン・バッテリを電源とし、最大 21V で動作する電動工具に搭載されている 3 相ブラシレス DC(BLDC)モーター向けの 1kW ドライブのリファレンス・デザインです。このリファレンス・デザインは、65mm x 60mm のコンパクトなドライブで、センサ・ベースの台形波制御機能を実装しています。このリファレンス・デザインは、TI の MOSFET パワー・ブロック技術を活用しています。この技術は、ハーフ・ブリッジ構成の 2 個の FET を単一の 5 x 6mm SON パッケージに封止し、非常に高い電力密度を実現しています。このリファレンス・デザインは 2 個のパワー・ブロックを並列に使用し、50ARMS の連続(3 秒で 120A のピーク値、1 秒で 160A のピーク値)巻線電流を供給します。この MOSFET パワー・ブロックは、寄生インダクタンスが最小で、電流制御のゲート・ドライバとスルー・レート制御の組み合わせにより、効果的な MOSFET の並列接続をサポートし、スイッチング・スパイクを低減します。MOSFET の VDS を監視することにより、電流センシングを実施しています。このボードは、サイクルごとの過電流保護と短絡保護を実現しています。
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CAD/CAE シンボル

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購入と品質

サポートとトレーニング

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トレーニング・シリーズ

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ビデオ

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