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100V、ピーク 1A、ハーフブリッジ ゲート ドライバ

LM5109 は生産中止予定です
以下の代替品のいずれかをご検討ください。
open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品
LM5109B アクティブ 8V UVLO 搭載、高いノイズ耐性、1A、100V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ Improved performance
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
NEW LM2105 アクティブ 5V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップ ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ Lower 1 ku price and integrated bootstrap diode

製品詳細

Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.


The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.


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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM5109 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver データシート 2005年 4月 26日
ホワイト・ペーパー Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) 2019年 10月 1日
その他の技術資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日

設計と開発

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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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