トップ

製品の詳細

パラメータ

Bus voltage (Max) (V) 620 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 10 Input VCC (Max) (V) 22 Peak output current (A) 1.0 Rise time (ns) 35 Operating temperature range (C) -40 to 125 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 16 Prop delay (ns) 100 Iq (uA) 250 Input threshold TTL, CMOS Channel input logic Non-Inverting Negative voltage handling at HS pin (V) -11 Features Interlock open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

特長

  • ハイサイドおよびローサイド構成
  • 出力インターロックおよび150nsのデッドタイムを備えたデュアル入力
  • 最大620Vまで完全動作、HBピンの絶対最大定格700V
  • VDD推奨範囲: 10V~20V
  • 0.5Aソース、1.0Aシンクのピーク出力電流
  • dv/dt耐性: 50V/ns
  • HSピンで-11Vまでロジック動作
  • 入力における負の電圧許容範囲: -5V
  • 大きな負の過渡安全動作領域
  • 両方のチャネルでのUVLO保護
  • 短い伝搬遅延(標準値140ns)
  • 遅延マッチング(標準値8ns)
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
  • 低い静止電流
  • TTLおよびCMOS互換の入力
  • 業界標準のSOIC-8パッケージ
  • すべてのパラメータは-40℃~+125℃の温度範囲で規定

All trademarks are the property of their respective owners.

open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

概要

UCC27710は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース0.5A、シンク1.0Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。

推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V~20V、パワーMOSFETでは10V~17Vです。

UCC27710には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスは10V~20Vの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。

このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。

このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27710で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンにより制御されます。

open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ
ダウンロード

技術資料

= 主要な資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。 すべて表示 10
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC27710 620V、0.5A、1.0Aハイサイド、ローサイド・ゲート・ドライバ、インターロック搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.B) 2019年 7月 1日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents 2020年 2月 28日
その他の技術資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) 2018年 10月 29日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
アプリケーション・ノート Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations 2018年 4月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
ユーザー・ガイド UCC27710EVM-005 Evaluation Module 2017年 10月 25日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$49.00
概要
UCC27710EVM-005 is designed for evaluating UCC27710D, which is a 620V half bridge gate driver with adequate source and sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide. The EVM can (...)
特長
  • High performance driver with input and output interface.
  • Ability to test most data sheet parameters
  • Ability to compare performance of various drivers with compatible pinout

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM591.ZIP (69 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM634.ZIP (3 KB) - PSpice Model

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 8 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

トレーニング・シリーズ

TI のトレーニングとビデオをすべて表示