LMG3410R070

アクティブ

ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN

製品の詳細

RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
VQFN (RWH) 32
  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25~100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R070:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R070:サイクル単位の過電流保護
  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25~100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R070:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R070:サイクル単位の過電流保護

ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG341xR070 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG341xR070は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG341xR070 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG341xR070は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

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技術資料

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27 資料すべて表示
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート LMG341xR070 ドライバおよび保護機能搭載の600V、70mΩ GaN データシート (Rev. E 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.F) 2019年 7月 19日
技術記事 3 quiescent-current (Iq) specifications you need to understand 2021年 11月 12日
ホワイト・ペーパー Achieving GaN Products with Lifetime Reliability 2021年 6月 2日
ホワイト・ペーパー Four key design considerations when adding energy storage to solar power grids.. 2021年 5月 5日
ホワイト・ペーパー Four Key Design Considerations when Adding Energy Storage to Solar Power Grids 2021年 3月 22日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 2021年 1月 5日
その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
Analog design journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日
アプリケーション・ノート Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 2020年 8月 4日
技術記事 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations 2019年 8月 6日
技術記事 No avalanche? No problem! GaN FETs are surge robust 2019年 4月 3日
その他の技術資料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
技術記事 20 million GaN reliability hours and counting 2019年 2月 28日
アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
ホワイト・ペーパー Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A) 2018年 11月 19日
アプリケーション・ノート High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FET (Rev. A) 2018年 11月 10日
アプリケーション・ノート Overcurrent protection in high density GaN power designs 2018年 10月 19日
ホワイト・ペーパー パワー・プロセス・チェーンを 通じて進化する高電圧給電 英語版をダウンロード 2017年 5月 17日
ユーザー・ガイド Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017年 5月 3日
その他の技術資料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
ホワイト・ペーパー ドライバの統合によるGaN性能の最適化 英語版をダウンロード 2016年 4月 20日
ホワイト・ペーパー Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日
ホワイト・ペーパー Redefining power management through high voltage innovation 2015年 11月 12日
ホワイト・ペーパー GaN FET-Based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC 2015年 10月 2日
ホワイト・ペーパー A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015年 3月 2日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフ・ブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は最大 8A の出力電流を供給でき、適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度の超過を確実に防止できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)

在庫あり
制限: 3
ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理(強制空冷、低周波動作など)を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
(...)
在庫あり
制限: 30
シミュレーション・モデル

LMG3410R070 Unencrypted PSpice Model (Rev. D)

SNOM593D.ZIP (57 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG3410 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SNOM608B.TSC (158 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
CAD/CAE シンボル

LMG3410 Daughter Card EVM Design Files (Rev. A)

SNOR009A.ZIP (10151 KB)
CAD/CAE シンボル

LMG34xx Mother Board EVM Design Files

SNOR010.ZIP (4044 KB)
リファレンス・デザイン

TIDM-1007 — インターリーブ型 CCM トーテムポール・ブリッジレス力率補正(PFC)のリファレンス・デザイン

インターリーブ連続導通モード(CCM)トーテムポール(TTPL)ブリッジレス力率補正(PFC)は、バンドギャップの大きい GaN デバイスを複数使用する電源トポロジで、高効率や電源の小型化というメリットを提供します。このリファレンス・デザインは C2000™ マイコンと LMG3410 GaN FET モジュールを使用してこの出力段を制御します。アダプティブ・デッドタイム制御と位相シェディング方式により、効率を向上します。  (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-010062 — 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM トーテム・ポール・ブリッジレス PFC およびハーフ・ブリッジ LLC のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、サーバー電源 (PSU) とテレコム整流器の各アプリケーションに適した、デジタル制御の小型 1kW AC/DC 電源のデザインです。 この高効率のデザインは、フロントエンドの連続導通モード (CCM) トーテム・ポール・ブリッジレス力率補正 (PFC) 段を含め、2 個のメイン電力段をサポートしています。この PFC 段は LMG341x GaN FET と統合型のドライバを採用しており、広い負荷範囲にわたって効率を改善しているほか、80 Plus Titanium の要件を満たしています。また、このデザインはハーフ・ブリッジ LLC 絶縁型 (...)
リファレンス・デザイン

TIDM-02008 — Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU

このリファレンス・デザインは、3.kW の双方向、インターリーブ形式の連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段であり、C2000™ リアルタイム制御コントローラと、ドライバや保護機能を統合した GaN (窒化ガリウム) である LMG3410R070 を使用しています。 この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、LMG341x GaN (...)
リファレンス・デザイン

PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正(PFC)コンバータのリファレンス・デザイン

連続導通モード(CCM)トーテムポール力率補正(PFC)は、シンプルで高効率なパワー・コンバータを実現します。99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。PMP20873 リファレンス・デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル・コントローラを使用します。設計概要で、CCM トーテムポール・トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC (...)
リファレンス・デザイン

PMP20289 — 高電圧 GaN デバイスを使用する 400V – 12V/500W 高周波共鳴コンバータのリファレンス・デザイン

PMP20289 は、公称 390V から 12V への電圧変換する際に、TI の高電圧 GaN FET を実装した高周波(公称スイッチング周波数 >400kHz)LLC 直列共振コンバータ(LLC-SRC)の性能を検証するためのリファレンス・デザインです。デジタル・コントローラ UCD3138A が、UCD7138 SR コントローラとの組み合わせにより、LLC-SRC の効率を最適化するため使用されています。高電圧直接駆動 GaNFET 採用 LMG3410 (...)
リファレンス・デザイン

PMP20637 — TI の HV GaN FET 搭載、高効率、高電力密度 1kW 共振コンバータのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、高効率で電力密度が高く軽量な共振コンバータのリファレンス・デザインです。390V の入力を 48V/1kW の出力に変換でき、出力段が 140W/in^3 を超える電力密度を実現します。基板全体の重量は 210g 未満です。定常状態でスイッチング周波数が 950kHz に固定されており、97.6% のピーク効率を実現します。  
リファレンス・デザイン

PMP21309 — HV GaN FET 搭載、24V/500W 共振コンバータのリファレンス・デザイン

This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
リファレンス・デザイン

PMP21842 — HV GaN FET 搭載、12V/500W 共振コンバータのリファレンス・デザイン

This high-frequency resonant converter reference design regulates a 12-V output from a 380-V to 400-V input voltage range using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A peak efficiency of 96.0% (bias supply included) is achieved with this design using our high-voltage GaN device along (...)
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VQFN (RWH) 32 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

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